型号:  BSC0504NSIATMA1

功能描述:  MOSFET LV POWER MOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  72 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  11.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  30 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  50 S

下降时间:  2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  2 ns

零件号别名:  BSC0504NSI SP001288146

单位重量:  120 mg