型号:  BSC057N08NS3GATMA1

功能描述:  MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  42 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  114 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  40 S

开发套件:  EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

下降时间:  9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  14 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  32 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  BSC057N08NS3 BSC57N8NS3GXT G SP000447542

单位重量:  100 mg