型号: BSC079N10NSG
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 13.4 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
系列: OptiMOS 2
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
零件号别名: BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGXT SP000379590
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
联系人：陆昆伟
电话：13823377624
Q Q:
联系人：刘
Q Q:
