型号:  BSC0901NSATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 系列 N沟道 MOSFET BSC0901NSATMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  28A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  44nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2800pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  15V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.9 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

封装/外壳：  PG-TDSON-8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  100 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  2.4 m0hms

最大栅阈值电压：  2V

最小栅阈值电压：  1.2V

最大栅源电压：  +20 V

封装类型：  TDSON

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  69 W

正向跨导：  140S

最低工作温度：  -55 °C

正向二极管电压：  1V

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  5.35 x 6.35 x 1.1mm

宽度：  6.35mm

系列：  OptiMOS

典型栅极电荷@Vgs：  44 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  2800 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：  28 ns

典型接通延迟时间：  5.4 ns

高度：  1.1mm

最高工作温度：  +150 °C

长度：  5.35mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs