型号:  BSC0910NDIATMA1

功能描述:  MOSFET LV POWER MOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TISON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  40 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  6.6 nC, 30.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  42 S, 85 S

下降时间:  2.4 ns, 4.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.6 ns, 5.6 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns, 28 ns

典型接通延迟时间:  2.4 ns, 5.6 ns

零件号别名:  BSC0910NDI SP000998052