型号: BSC0993NDATMA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TISON-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 24 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 3.6 ns
零件号别名: BSC0993ND SP001586390
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