型号: BSC109N10NS3 G
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 63 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.9 mOhms
配置: Single
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
零件号别名: BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
单位重量: 300 mg
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