型号: BSC119N03SG
功能描述: MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs - Single
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 11.9 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 2.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 3.4 ns
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：凌小姐
电话：13922135443
Q Q:
联系人：冯作兵
电话：13600409525
Q Q:
联系人：邵金
电话：13954634366
Q Q:
