型号: BSC119N03SG
功能描述: MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs - Single
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 11.9 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 2.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 3.4 ns
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
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联系人：朱先生
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