型号: BSC146N10LS5ATMA1
功能描述: TRENCH >=100V
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™ 5
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 14.6 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 23µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1300pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），52W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-6
封装/外壳: 8-PowerTDFN
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：侯先生
电话：13817676768
Q Q:
联系人：吕先生
电话：18913217753
Q Q:
联系人：罗丽
电话：15602911070
Q Q:
