型号: BSC22DN20NS3G
功能描述: MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 225 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 4.2 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 34 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 6 nS
零件号别名: BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GXT SP000781778
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