型号:  BSC500N20NS3GATMA1

功能描述:  Infineon BSC500N20NS3 G 系列 N沟道 MOSFET BSC500N20NS3GATMA1, 24 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 60µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1580pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  96W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  50 mOhm @ 22A、 10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

封装/外壳：  PG-TDSON-8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  24 A

最大漏源电压：  200 V

最大漏源电阻值：  50 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  20 V

封装类型：  TDSON

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  96 W

典型接通延迟时间：  14 ns

典型关断延迟时间：  28 ns

典型输入电容值@Vds：  1190 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：  15 nC @ 10 V

系列：  BSC500N20NS3 G

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

宽度：  6.35mm

长度：  5.35mm

高度：  1.1mm

正向跨导：  37S

正向二极管电压：  1.2V

尺寸：  5.35 x 6.35 x 1.1mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs