型号:  BSC900N20NS3GATMA1

功能描述:  N-Channel 200 V 90 mOhm OptiMOS™3 Power-Transistor - PG-TDSON-8

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  15.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 30µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  11.6nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  920pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  62.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  90 毫欧 @ 7.6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TDSON-8

封装形式Package：  TDSON

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  200V

连续漏极电流ID：  15.2A

漏源电压（Vdss）：  200V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  11.6nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  920pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  100V

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

无铅情况/RoHs：  否