型号:  BSD314SPEH6327XTSA1

功能描述:  MOSFET P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  230 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  - 700 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

系列:  BSD314

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  3 S

下降时间:  2.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.9 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12.4 ns

典型接通延迟时间:  5.1 ns

零件号别名:  BSD314SPE BSD314SPEH6327XT H6327 SP000917658

单位重量:  7.500 mg