型号:  BSD840N H6327

功能描述:  MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  880 mA

Rds On-漏源导通电阻:  270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  260 pC, 260 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

系列:  BSD840

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  2.5 S, 2.5 S

下降时间:  900 ps, 900 ps

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.2 ns, 2.2 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.8 ns, 7.8 ns

典型接通延迟时间:  1.9 ns, 1.9 ns

零件号别名:  BSD840NH6327XTSA1 BSD84NH6327XT SP000917654

单位重量:  7.500 mg