型号: BSF134N10NJ3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: BSF134N10NJ3 G
标准包装: 5,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9A(Ta),40A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 13.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2300pF @ 50V
功率 - 最大值: 43W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-WDSON
供应商器件封装: MG-WDSON-2,CanPAK M?
其它名称: BSF134N10NJ3 G-NDBSF134N10NJ3GBSF134N10NJ3GXUMA1SP000604536
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