型号:  BSG0811ND

功能描述:  MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TISON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  50 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  16 V

Qg-栅极电荷:  8.4 nC, 29 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  6.25 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.15 mm

长度:  6 mm

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  46 S, 90 S

下降时间:  1.4 ns, 2.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.7 ns, 4.3 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间:  4.3 ns, 5.6 ns

零件号别名:  BSG0811NDATMA1 SP001075902

单位重量:  230 mg