型号:  BSH112.235

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  300mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  40pF @ 10V

功率 - 最大：  830mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  0.3 A

RDS -于：  5000@10V mOhm

最大门源电压：  ±15 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

最大门源电压：  ±15

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  830

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  5000@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  0.3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  300mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

标准包装：  10,000

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  830mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：  40pF @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1768-1

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :500mA

Drain Source Voltage Vds：  :60V

On Resistance Rds(on)：  :5ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

功耗：  :830mW

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :300mA

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

端接类型：  :SMD

晶体管类型：  :Enhancement

Voltage Vds Typ：  :75V

Voltage Vgs Max：  :2V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V