型号:  BSH201.215

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  300mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  2.5 Ohm @ 160mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.9V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  70pF @ 48V

功率 - 最大：  417mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  0.3 A

RDS -于：  2500@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2 ns

典型上升时间：  4.5 ns

典型关闭延迟时间：  45 ns

典型下降时间：  20 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  417

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  2500@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  0.3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  300mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA (Min)

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  2.5 Ohm @ 160mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  417mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  70pF @ 48V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3nC @ 10V

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6217-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Single

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大漏源电阻：  2.5 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.417 W

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  TO-236AB

典型栅极电荷@ VGS：  3 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  70 pF V @ 48

宽度：  1.4mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  0.3 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  2500 mOhms

功率耗散：  417 mW

封装/外壳：  SOT-23

零件号别名：  BSH201 T/R

上升时间：  4.5 ns

漏源击穿电压：  60 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  4.5 ns

漏极电流（最大值）：  0.3 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �20 V

输出功率（最大）：  Not Required W