型号: BSL205N L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSL205N
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 419pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： PG-TSOP6-6
其它名称： BSL205N L6327-NDBSL205N L6327INTRBSL205NL6327HTSA1SP000442386
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