型号:  BSL211SP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  12.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  654pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  67 毫欧 @ 4.7A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TSOP6-6

封装/外壳：  PG-TSOP6-6

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  20V

Id-连续漏极电流：  4.7A

Rds On-漏源导通电阻：  67mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  12V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  SingleQuadDrain

Pd-功率耗散：  2W

通道模式：  Enhancement

高度：  1.1mm

长度：  3mm

系列：  OptiMOSP

晶体管类型：  1P-Channel

宽度：  1.5mm

下降时间：  23.3ns

上升时间：  13.9ns

典型关闭延迟时间：  25ns

典型接通延迟时间：  8.7ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs