型号:  BSL308PEH6327XTSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  2 个 P 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  80 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1V @ 11µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  500pF @ 15V

功率 - 最大值：  500mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TSOP6-6

供应商器件封装：  PG-TSOP6-6

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  2 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  130 m0hms

最大栅阈值电压：  1V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TSOP

引脚数目：  6

晶体管配置：  隔离式

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  500 mW

宽度：  1.6mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

正向二极管电压：  1.1V

每片芯片元件数目：  2

长度：  2.9mm

高度：  1mm

系列：  OptiMOS P

尺寸：  2.9 x 1.6 x 1mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  376 pF @ -15 V

典型关断延迟时间：  15.3 ns

典型接通延迟时间：  5.6 ns

正向跨导：  4.6S

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs