型号:  BSL372SNH6327XTSA1

功能描述:  MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOP-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  220 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  9.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  3 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  5.3 S

下降时间:  22.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  54 ns

典型接通延迟时间:  3.5 ns

零件号别名:  BSL372SN H6327 SP000942920

单位重量:  13.600 mg