型号: BSL806N L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSL806N
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.3A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 750mV @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1.7nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 259pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： PG-TSOP6-6
其它名称： BSL806N L6327-NDBSL806NL6327BSL806NL6327HTSA1SP000464844
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：罗舟
电话：13164749259
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13066880981
Q Q:
