型号: BSM100GAR120DN2
功能描述: 100A1200V2UIGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 800 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: IS6a ( 62 mm )-5
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：连焌烺
电话：15118133175
Q Q:
联系人：柯先生，二十四小时报价
电话：15813805081
Q Q:
联系人：刘庆
电话：18221065881
Q Q:
