型号: BSM100GB170DN2
功能描述: IGBT 模块 1700V 100A DUAL
制造商: Infineon Technologies
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 3.4 V
在25 C的连续集电极电流： 145 A
栅极—射极漏泄电流： 320 nA
功率耗散： 1 kW
最大工作温度： + 150 C
封装 / 箱体： Half Bridge2
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： 20 V
安装风格： Screw
工厂包装数量： 500
ROHS： 含铅
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