型号: BSM10GD120DN2E3224
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 120 nA
Pd-功率耗散: 80 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM10GD120DN2E3224BOSA1 SP000100368
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：黄秋林
Q Q:
联系人：阿城
电话：15118829844
Q Q:
联系人：崔
Q Q:
