型号: BSM120C12P2C201
功能描述: 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
制造商: Rohm Semiconductor
Series: -
Package: Bulk
FET Type: 2 N-Channel
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Power - Max: 935W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Supplier Device Package: Module
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：李坤
电话：18521770496
Q Q:
联系人：盛先生
电话：13573212021
Q Q:
