型号: BSM150GB120DN2E3166
功能描述: IGBT 模块
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 62 mm
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
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