型号: BSM200GAR120DN2
功能描述: 200A1200V2UIGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 290 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1.4 KW
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: HB 200GAR
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
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