型号: BSM300C12P3E301
功能描述: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.6V @ 80mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5.6V @ 80mA
Vgs（最大值）: +22V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1500pF @ 10V
FET 功能: 标准
功率耗散（最大值）: 1360W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: -40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装: 模块
封装/外壳: 模块
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