型号: BSM400D12P2G003
功能描述: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
制造商: Rohm Semiconductor
Series: -
Package: Bulk
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 10V
Power - Max: 2450W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: -
Package / Case: Module
Supplier Device Package: Module
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Q Q:
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