型号: BSM50GD120DLC
功能描述: IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
在25 C的连续集电极电流: 85 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM50GD120DLCBOSA1 SP000100393
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：罗舟
电话：13164749259
Q Q:
联系人：曾生
电话：18719069025
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
