型号: BSM50GD120DLC
功能描述: IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
在25 C的连续集电极电流: 85 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 350 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM50GD120DLCBOSA1 SP000100393
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:连
电话:18922805453
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:罗舟
电话:13164749259
联系人:曾生
电话:18719069025
联系人:张靖杰
电话:15875801632
Q Q: