型号: BSM75GD120DN2BOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 103A 520W
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: -
零件状态: 不適用於新設計
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 103A
功率 - 最大值: 520W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 3V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1.5mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 5.1nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
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