型号:  BSN20

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 50V 0.173A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  NXP

漏极电流（最大值）：  0.173 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �20 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  0.83 W

安装：  Surface Mount

噪声系数：  Not Required dB

漏源导通电阻：  15 ohm

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  50 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  0.173 A

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :173mA

Drain Source Voltage Vds：  :50V

On Resistance Rds(on)：  :15ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :1V

功耗：  :830mW

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :173mA

Current Temperature：  :25°C

No. of Transistors：  :1

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :830mW

Pulse Current Idm：  :700mA

SMD Marking：  :M8p

端接类型：  :SMD

Voltage Vds Typ：  :50V

Voltage Vgs Max：  :20V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V

Weight (kg)：  0.000033

Tariff No.：  85412900