型号:  BSO080P03SHXUMA1

功能描述:  P-Channel 30 V 14.9 A 8 mO 102 nC SMT OptiMOS Power Transistor - DSO-8

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  12.6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  136nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5890pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  1.79W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  8 毫欧 @ 14.9A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-DSO-8

封装形式Package：  DSO

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  12.6A

漏源电压（Vdss）：  30V

供应商器件封装：  P-DSO-8

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

无铅情况/RoHs：  否