型号: BSO080P03SHXUMA1
功能描述: P-Channel 30 V 14.9 A 8 mO 102 nC SMT OptiMOS Power Transistor - DSO-8
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 12.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 136nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 5890pF @ 25V
Vgs(最大值): ±25V
功率耗散(最大值): 1.79W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 8 毫欧 @ 14.9A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-DSO-8
封装形式Package: DSO
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 12.6A
漏源电压(Vdss): 30V
供应商器件封装: P-DSO-8
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
无铅情况/RoHs: 否
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