型号:  BSO130P03S H

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3520pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  1.56W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  13 毫欧 @ 11.7A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-DSO-8

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  9.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 140µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  81nC @ 10V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Id-连续漏极电流：  11.3A

Rds On-漏源导通电阻：  13mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  25V

Qg-栅极电荷：  -61nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  2.36W

通道模式：  Enhancement

商标名：  OptiMOS

封装：  CutTape

高度：  1.75mm

长度：  4.9mm

系列：  OptiMOSP

晶体管类型：  1P-Channel

宽度：  3.9mm

正向跨导 - 最小值：  27S

下降时间：  62ns

上升时间：  16ns

典型关闭延迟时间：  70ns

典型接通延迟时间：  13ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs