型号:  BSO220N03MD G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-DSO-8

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  22 毫欧 @ 7.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  800pF @ 15V

功率 - 最大值：  1.4W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-DSO-8

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  2Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  7.7A

Rds On-漏源导通电阻：  18.3mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  1V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  10nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Dual

Pd-功率耗散：  2W

通道模式：  Enhancement

商标名：  OptiMOS

封装：  CutTape

高度：  1.75mm

长度：  4.9mm

系列：  OptiMOS3M

晶体管类型：  2N-Channel

宽度：  3.9mm

正向跨导 - 最小值：  9S

下降时间：  3.4ns

上升时间：  2.8ns

典型关闭延迟时间：  6.4ns

典型接通延迟时间：  5.7ns

Vds-漏源极击穿电压：  30V

封装：  Reel

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs