型号: BSO330N02K G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 730pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： PG-DSO-8
其它名称： BSO330N02K G-NDBSO330N02K GINTRBSO330N02KGFUMA1SP000380284
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