型号:  BSO612CVGHUMA1

功能描述:  Infineon SIPMOS 系列 Si N/P沟道 MOSFET BSO612CVGHUMA1, 2 A、3 A, Vds=60 V, 8引脚 DSO封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 和 P 沟道

FET 功能：  标准

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3A，2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  120 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  340pF @ 25V

功率 - 最大值：  2W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-DSO-8

供应商器件封装：  PG-DSO-8

通道类型：  N，P

最大连续漏极电流：  2 A、3 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  120 m0hms，300 m0hms

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  DSO

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  小信号

最大功率耗散：  2 W

尺寸：  5 x 4 x 1.45mm

系列：  SIPMOS

高度：  1.45mm

宽度：  4mm

最高工作温度：  +150 °C

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  10.3 nC @ 10 V，10.5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  275 pF@ 25 V, 320 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间：  12 ns、15 ns

长度：  5mm

最低工作温度：  -55 °C

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs