型号: BSO615NG
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
系列: BSO615
工厂包装数量: 2500
商标名: SIPMOS
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316
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