型号: BSP100
功能描述: N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
典型关断延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
典型栅极电荷@Vgs: 6 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 250 pF V @ 20
安装类型: 表面贴装
宽度: 3.7mm
封装类型: SC-73
尺寸: 6.7 x 3.7 x 1.7mm
引脚数目: 4
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 8300 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.1
最大连续漏极电流: 3.2 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 双漏极、单
长度: 6.7mm
高度: 1.7mm
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