型号: BSP126
功能描述: N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
典型关断延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
典型输入电容值@Vds: 100 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 3.7mm
封装类型: SOT-223
尺寸: 6.7 x 3.7 x 1.8mm
引脚数目: 4
最大功率耗散: 1.5 W
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 250 V
最大漏源电阻值: 7.5
最大连续漏极电流: 0.375 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 开关
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 双漏极、单
长度: 6.7mm
高度: 1.8mm
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