型号: BSP129E6327T
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSP129
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）： 240V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 350mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 108pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： PG-SOT223-4
其它名称： BSP129XTINTR
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