型号: BSP135 L6433
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: BSP135
标准包装: 4,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: SIPMOS®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 耗尽模式
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 120mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 45 欧姆 @ 120mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 146pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: PG-SOT223-4
其它名称: BSP135 L6433-NDBSP135L6433HTMA1SP000432430
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