型号: BSP170PH6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.9A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 300mΩ @ 1.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.8W
类型: P沟道
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：覃景
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13590203753
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18926082802
Q Q:
