型号: BSP19AT1G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 单路
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 350V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 500mV @ 4mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 40 @ 20mA,10V
功率 - 最大值: 800mW
频率 - 跃迁: 70MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
其它名称: BSP19AT1GOSTR
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