型号:  BSP250.115

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  250 mOhm @ 1A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.8V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  250pF @ 20V

功率 - 最大：  1.65W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SC-73

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  3 A

RDS -于：  250@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Cut Tape

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1650

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  250@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  SC-73

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  150

包装长度：  6.7(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.7(Max)

最大连续漏极电流：  3

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.8V @ 1mA

供应商设备封装：  SC-73

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  250 mOhm @ 1A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.65W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  250pF @ 20V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  25nC @ 10V

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6222-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Dual Drain, Single

外形尺寸：  6.7 x 3.7 x 1.7mm

身高：  1.7mm

长度：  6.7mm

最大漏源电阻：  0.25 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  1.65 W

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  SC-73

典型栅极电荷@ VGS：  10 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  250 pF V @ 20

宽度：  3.7mm

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  20 V

连续漏极电流：  - 3 A

正向跨导 - 闵：  2 S, 1 S

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  330 mOhms

功率耗散：  5 W

封装/外壳：  SOT-223

零件号别名：  BSP250 T/R

漏源击穿电压：  - 30 V

RoHS：  RoHS Compliant

栅极电荷Qg：  10 nC

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.25 ohm

工作温度范围：  -65C to 150C

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  30 V

弧度硬化：  No