型号:  BSP603S2L

功能描述:  MOSFET N-Ch 55V 5.2A SOT-223-3 OptiMOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  5.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  33 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.6 mm

长度:  6.5 mm

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.5 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  16 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28 ns

典型接通延迟时间:  10.8 ns

零件号别名:  BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

单位重量:  112 mg