型号:  BSP61H6327XTSA1

功能描述:  Infineon BSP61H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3+Tab引脚 SOT-223封装

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  PNP - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：  60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  1.8V @ 1mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：  10µA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  2000 @ 500mA，10V

功率 - 最大值：  1.5W

频率 - 跃迁：  200MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT223

供应商器件封装：  PG-SOT223-4

晶体管类型：  PNP

最大连续集电极电流：  1 A

最大集电极-发射极电压：  60 V

最大发射极-基极电压：  5 V

封装类型：  SOT-223

引脚数目：  3+Tab

晶体管配置：  单

每片芯片元件数目：  1

最小直流电流增益：  2000

最大基极-发射极饱和电压：  2.2 V

最大集电极-基极电压：  80 V

最大集电极-发射极饱和电压：  1.8 V

最大集电极-基极截止电流：  10µA

高度：  1.6mm

最高工作温度：  +150 °C

宽度：  3.5mm

最大功率耗散：  1.5 W

长度：  6.5mm

基电流：  100mA

尺寸：  6.5 x 3.5 x 1.6mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs