型号: BSP75GQTA
功能描述: MOSFET Low Side IntelliFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 36 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13 us
典型接通延迟时间: 2.2 us
单位重量: 112 mg
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